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电磁阀PWM驱动电路

2018年03月23日 单元电路图, 基础电路图 评论 4 条 阅读 6,098 次

电路图:

(点击图片查看高清原图!)

 

电路功能:

当控制器输出PWM脉冲时,电磁阀工作;没有输出PWM时,电磁阀不工作。

 

电路分解:

整个电路根据光耦可分为两部分:

左边为光耦输入部分,也是整个电路PWM信号的输入部分;右边为光耦输出部分,也是电磁阀的驱动部分。

这两部分通过光耦隔离,两边的地都不一样。

 

整个电路的工作过程:

当光耦没有PWM信号输入时,光耦发光二极管截止,光耦的光电晶体管也是截止状态,Q1是一个NMOS,也处于截止状态,电磁阀没有电流,不工作。

当光耦有PWM信号输入时,光耦发光二极管导通,触发光电晶体管也导通。24V电源经电阻R1,光电晶体管的CE极,电阻R3分压使NMOS IRF540N的栅极为高电平,触发MOS管导通,电磁阀线圈有电流流过,电磁阀触发动作。

二极管D1为电磁阀的泄放二极管,防止NMOS被高压损坏。电容C1起滤波作用,但同时也会增加MOS管的开关损耗。

 

注意:

在实际制作时,要注意电磁阀驱动这块,要让MOS管处于开关状态,以免它发热严重。

 

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4 条留言  访客:2 条  博主:2 条

  1. cgc

    为什么Q2用三极管而Q1用MOS管,两者能不能互换?或者都用MOS管?

    • robotxiao

      流过电磁阀的电流还是很大的,用MOS管是因为MOS管的导通电阻小,导通压降也很小,损耗比三极管小很多,所以Q1适合用MOS管。
      Q2也可以用MOS管,但是一般逻辑端的PWM信号是5V逻辑,或者3.3V逻辑,就要选用Vgsth值小的MOS管。

  2. 小彬

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快, 但导通压降大,载流密度小。
    百度百科里说其导通压降明明是很大,你却说导通压降小,这不是错的吗,而且载流密度小的话怎么可以导通大电流电路

    • robotxiao

      大小是个相对的概念。我说的MOS管的导通电阻小,导通压降也很小,损耗比三极管小很多,这是跟三极管相比的,且前提是流过相同的电流值。另外我说你复制的百科这段话是错的,你信不?IGBT的驱动功率比MOS管大很多,两者的通流能力完全不是一个等级,如果在同一个电流等级下,比如10A,MOS管压降要比IGBT的饱和管压降要小的。还有载流密度,两者工艺都完全不一样,怎么去对比?

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